一块西数480g固态,bios能认,挂机进系统磁盘管理里分区一会有一会没有。情况不似丢固件,似有坏块,尝试30分钟大法(其实挂了一整天)无果。遂拆开发现是闪迪的主控,网上搜了下,基本没得玩。闪存上也是闪迪的标 60260 128g
拆下一个颗粒装到cbm2099的U盘板上,没有发现支持此的量产程序,不过认出了id 为
上颗粒时,焊一个上开卡软件看一下没有识别,没问题再焊下一颗。从软件看四个通道位置如上图,括号内是该位置的背面。密码两个空格进入编辑模式,颗粒选择自动 看下支不支持此颗粒。如果没有,换其它开卡固件再试,
第一次玩这个,开卡软件稍微摸索了一下。模式有两种,如下图,一个是isp模式,另一个是rdt模式
isp就是正式开卡,rdt差不多就是读写测试开卡。把rdt程序写入ssd。之前量产过u盘,测试过程是漫长的。这个rdt模式相当于离线测试模式,只要通上电,ssd就会自己跑rdt程序。跑rdt程序时这块2258板上有一个灯一闪一闪,480g差不多跑了2小时左右。
rdt选项跑几圈,和ecc级别看自己要求,其它默认就好了。选好后按下保存配置,回到开卡界面左下的绿色isp变成rdt。按开始,一切正常1分钟之内就完成了。此时只需要断开电源和数据线,可以放一边不接数据线只给通上电,一会灯会开始闪烁,说明rdt程序在跑了,放一边不用管,等灯不闪灭掉了,说明程序跑完了。可以联机读取结果了。
上图可以看到坏块,图中ch1 196个,ch1就是上面我标数字括号里的(1),在板子的背面。之所以跑一下rdt因为我刚开始没有经验,直接按默认的开卡,结果拷贝了些视频文件测试,发现有些文件无法播放已经损坏,smart里c5黄有数字了。开始我就搞不明白480g开卡为什么1分钟不到就完事了,坏块怎么剔除。查了一下才知道要跑rdt。
跑完rdt后就可以用结果来开出正常使用的ssd了
左边红圈范围可以随心所欲,右边红圈选择第三个,参考rdt结果屏蔽坏块。下面的
rdt测试 前面的√去掉。也即转到isp模式。其它默认即可。然后在开卡主页选择开始,一分钟不到就结束了。然后你就可以用其它软件跑测试看看了。友情提示,跑一次就好了,跑一次增加一次磨损。
最后有个疑问,为什么坏块集中出现在一个颗粒上,不会是均衡磨损算法有缺陷。
补充:开卡用的是十几块钱的易驱线。
smart计算的读取写入量需要换算,大致是30倍的样子,下图是经过了一次全盘读。smart读数据14317÷30=477.233.....g
试着把板子的 r23 tog跳线装了个10k电阻上去。开卡软件只显示1024k的容量。开卡失败,所以只能把它又拆了。把flash的时脉前的√去掉又开卡了一次
测试结果比之前的好一点
喜的是温度比之前低,之前基本50℃以上。现在42℃以上。
保存了一下开卡信息
Toggle Mode 是不是说明不装土狗跳线就能工作在土狗模式。
Adjust Temperature : 0
CPU Clock : 425MHz
Flash Clock : 193.75MHz (DDR-387.5)
Flash Control Driving (WE/RE/CLE/ALE) : 97
Flash Control Driving (Schmitt trigger window) : 02h
Flash DQS/Data Driving : 97
Flash DQS/Data Driving (Schmitt trigger window) : 02h
Flash DQS/Data Driving (Control ODT) : 02h
Extend tWhr2*(N+1), N = 0
Partial Scrub Time = 30 ms
Flash Output Driving Strength : Over drive (06h)
Flash ODT : Disable
Disable SSC
Enable Thermal Throttling
PHY TX Pre-emphasis for Gen1 : 6 (06h)
PHY TX Pre-emphasis for Gen2 : 6 (06h)
PHY TX Pre-emphasis for Gen3 : 21 (15h)
PHY TX Amplitude for Gen1 : 68 (44h)
PHY TX Amplitude for Gen2 : 68 (44h)
PHY TX Amplitude for Gen3 : 96 (60h)
PHY RX Equalizer : 00h
Read Scrub Check Size : 16 (32 MB)
Disable DAS LED Invert
Read Count Threshold : 50
SLC Read Count Threshold : 50
Max Dual Mode PE Threshold : 100
Wear leveling Threshold : 300
================ CID BUffer Setting ================
00 | 00 00 64 00 00 00 04 03 : A0 00 20 01 22 00 00 00
10 | AE 01 1F 00 97 20 97 22 : 97 20 97 22 97 20 97 22
20 | 97 20 97 22 00 08 00 08 : 05 06 78 00 00 1E B8 0B
30 | 06 07 00 00 00 00 00 00 : 00 12 00 00 00 00 00 00
40 | 82 4C 00 00 06 06 15 44 : 44 60 00 28 60 24 0E 64
50 | 07 10 00 05 00 00 32 00 : 64 01 2C 00 56 52 5B 57
60 | 00 00 00 00 00 00 00 00 : 00 00 00 00 32 00 00 00
70 | 20 20 20 1C 1D 21 2A 2E : 16 12 16 01 EB EF 52 01
HIPM : Disable
DIPM : Not support
DevSlp : Not support
Trim : Enable
Security : Support
Write Cache : Support
-------------------------------------
RDT Read Retry : Disable
Pretest : Auto Mode (Ref. All Bad)
Enable GPIO Check
-------------------------------------
SSC : Disable
Total 4 Channel
Total 1 CE
Total 4 Die Per CE
2 Plane
Total 16 IntlvChNum
16K Page Flash
768 Page
1478 Block
--------------------------------------
gbsCardMode = 0x97
Enable Internal Interleave
Enable Interleave
4-Way Interleave
Multi-Die
Enable SanDisk Dynamic Read
--------------------------------------
gbsFLParam = 0xFE
TLC flash
Sync Mode
Toggle Mode
Reliable Mode
Multi-plane Mode
Primary CMD
--------------------------------------
gbsFLOption = 0x1F
Enable Multi-plane Read
Enable Multi-plane Program
Enable Cache Read
Enable Cache Program
--------------------------------------
All_CE_ON Mode
Set Feature with 0xD5
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休息一下~~